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问题更新时间2023/10/19 21:51:00

IGBT 是一个复合型的器件，它是（）
(A) GTR 驱动的 MOSFET
(B) MOSFET 驱动的GTR
(C) MOSFET 驱动的晶闸管
(D) MOSFET 驱动的GTO

答案

A

出自：文才 >> 新疆工程学院电力电子技术

王老师:19139051760(拨打)

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第1题

为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（） (A) du/dt 抑制电路 (B) 抗饱和电路 (C) di/dt 抑制电路 (D) 吸收电路

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第2题

对于单相交交变频电路如下图，在 t1~t2 时间段内，P 组晶闸管变流装置与 N组晶闸管变流装置的工作状态是（） (A) P 组阻断，N 组整流 (B) P组阻断，N 组逆变 (C) N 组阻断，P 组整流 (D) N组阻

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第3题

在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在 t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。 (A) 1 个 (B) 2 个 (C) 3 个 (D) 4 个

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第4题

单相桥式PWM 逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（） (A) V1 与 V4导通，V2与 V3 关断 (B) V1 常通，V2 常断，V3与 V4 交替通断 (C) V1 与 V4关断，V2与 V3 导通

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