什么是IGBT的擎住效应？如何避免？

IGBT内部存在一个体区电阻Rbr，若IGBT的集电极电流IC大到一定程度， Rbr上的电压足以使晶体管开通，经过连锁反应，可使寄生晶闸管导通，从而IGBT栅极对器件失去控制，这就是所谓的擎住效应。它将使IGBT集电极电流增大，产生过高功耗导致器件损坏。 为了避免发生擎住现象，使用中应保证集电极电流不超过ICM，或者增大栅极电阻RG以减缓IGBT的关断速度，减小重加dUCE/dt值。总之，使用中必须避免发生擎住效应，以确保器件的安全。