河南城建学院模拟电子技
本征半导体中掺入微量( )价元素,空穴浓度将大大增加,这种半导体称为P型半导体。 A. 5 B. 2 C. 3 D. 6
答案是:C. 3

更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:河南城建学院模拟电子技术
杂质半导体分为 N 型和 P 型, 自由电子是( )型半导体的多子, 空穴是( )型半导体的多子 。 A. N, P B. N, N C. P, P D. P, N
答案是:A. N, P

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利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是              (   )  A. f=fs时,石英晶体呈感性,可构成串联型晶体振荡器 B. f=fs时,石英晶体呈阻性,可构成串联型晶体振荡器 C. fs
答案是:B.f=fs时,石英晶体呈阻性,可构成串联型晶体振荡器

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滞回比较器有2个门限电压,因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中, 其输出状态将发生( )次跃变。 A. 1 B. 2 C. 3 D. 0
答案是:A.1

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在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍      数必须满足(    )才能起振。                          A. AV = 1 B. AV = 3 C.
答案是:D. AV >3

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交越失真是( )放大器特有的一种非线性失真 。 A. 功率 B. 电压 C. 电 流 D. 阻容
答案是:A. 功率

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一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低,当前级输入信号幅度足够大时,后级输出电压波形将( ) 。 A. 交越失真 B. 线性失真 C. 截止失真
答案是:C. 截止失真

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集成运放电路采用直接耦合方式是因为 (    )。 A. 可获得较高增益 B. 可使温漂变小 C. 在集成工艺中难于制造大电容 D. 可以增大输入电阻
答案是:C. 在集成工艺中难于制造大电容

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运算放大器的输入级是( ) 。 A. 功率放大器 B. 差动放大器 C. 电流放大器
答案是:B. 差动放大器

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差动放大器两个输入端的增益电压分别是 2mV 和-2mV,则输入的共模电压是( )mV 。 A. 3 B. 2 C. 0
答案是:C. 0

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BTJ 放大器电路中,由于( )和( )的影响,使低频段增益和高频段增益分别是频率的函数。 A. 极间电容、耦合电容 B. 耦合电容、 极间电容 C. 温度漂移、电压增益 D. 温度漂移、 电流增益
答案是:B. 耦合电容、 极间电容

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具60dB增益的电压放器,其电压放大倍数为_______________倍 。 A. 400 B. 40 C. 1000
答案是:C. 1000

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在画放大电路的直流通路时,应该将电路中的电容( ) 。 A. 短 路 B. 开 路 C. 不 变
答案是:B. 开 路

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BJT依靠( )控制漏极电流íc的器件。 A. 电 压 B. 电 流 C. 电 阻
答案是:B. 电 流

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对 PN 结二极管,当 P 区外接低电位,而 N 区外接高电位,则 PN 结为( )偏。 A. 反 B. 正 C. 低
答案是:A. 反

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乙类推挽功放中,BJT 功放管发射结加一定的正偏电压,这是为了克服( ) A. 频率失真 B. 功率失真 C. 线性失真 D. 交越失真
答案是:D. 交越失真

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集成运放中间级的作用是( )。 A. 提高输人电阻 B. 提高共模抑制比 C. 提高放大倍数 D. 提高输出电阻
答案是:C. 提高放大倍数

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具40dB增益的电压放器,其电压放大倍数为()倍 。 A. 400 B. 40 C. 1000 D. 100
答案是:D. 100

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互补输出级采用射极输出方式是为了使 (    )。          A. 电压放大倍数高 B. 输出电流小 C. 输出电阻增大 D. 带负载能力强
答案是:D. 带负载能力强

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所谓“波特图”是指放大器增益的__________曲线 。 A. 增益 B. 放大 C. 反馈 D. 对数
答案是:D. 对数

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反馈电路中,电流取样负反馈的输出电阻为( );电压取样负反馈的输出电阻为( )。 A. ROf =R0/F , R0f=F R0 B. R0f=F R0 , ROf =R0/F , C. ROf =R0/F , RO
答案是:B. R0f=F R0 , ROf =R0/F ,

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电压求和负反馈使输人电阻( ),电流求和负反馈使输人电阻( ) A. 减少,增加 B. 增加, 减少 C. 不变,稳定 D. 稳定, 增加
答案是:B. 增加, 减少

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在反馈放大器中, 若开环增益A与反馈系数 B 的符号相同时为 ( )反馈,相反时( )反馈 。 A. 负 , 正 B. 正 , 负 C. 正, 正 D. 负 , 负
答案是:A. 负 , 正

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双极型晶体管(BJT)放大偏置时,应在其发射结加_____电压,在集电结加______电压 。 A. 反 ,正 B. 正 ,正 C. 正,反 D. 反,反
答案是:C. 正,反

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当发射结正偏,集电结反偏,BJT 工作在( )区、集电结和发射结都为反偏,BJT 工作在 ( )区、若发射结和集电结都工作在正偏时,BJT工作在( )区 。 A. 放大、 截止、 饱和 B. 截止、饱和 、 放大 C.
答案是:A. 放大、 截止、 饱和

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普通二极管,Si二极管导通电压的典型值约为( )伏,而Ge 二极管的导通电压典型值 为 ( )伏 。 A. 0.7、 1 B. 1 、 1 C. 0.7 V、 0.3 V D. 0.3、 0.7
答案是:C. 0.7 V、 0.3 V

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杂质半导体分为 N 型和 P 型, 空穴是( ) 型半导体的少子, 自由电子是( )型半导体的多子。 A. N,P C C. P,P D. P,N,
答案是:杂质半导体分为 N 型和 P 型, 空穴是( ) 型半导体的少子, 自由电子是( )型半导体的多子。 A. N,

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本征半导体中掺入微量( )价元素,自由电子浓度将大大增加,这种半导体称为N型半导体 A. 5 B. 2 C. 3 D. 6
答案是:A.5

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本征半导体中掺入微量( )价元素,自由电子浓度将大大增加,这种半导体称为N型半导体 A. 5 B. 2 C. 3 D. 6
答案是:A.5

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NPN管放大偏值电路中,若VC 增加,则 IC( )。 A. 几乎不变 B. 略有增加 C. 略有减小 D. 稳定
答案是:C. 略有减小

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差动放大电路的主要特点是 (    )。            A. 有效放大差模信号,有力抑制共模信号 B. 既放大差模信号,又放大共模信号 C. 有效放大共模信号,有力抑制差模信号 D. 既抑制差模信
答案是:A. 有效放大差模信号,有力抑制共模信号

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差动放大器两个输入端的增益电压分别是 2mV 和-2mV,则输入的共模电压是( )mV 。 A. 3 B. 0 C. 1 D. -1
答案是:B. 0

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集成运放采用有源负载的目的是( )。 A. 稳定工作点 B. 提高电压增益 C. 减少温度漂移 D. 增加输人电阻
答案是:B. 提高电压增益

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FET 依靠( )控制漏极电流íD的器件。 A. 电 场 B. 电 流 C. 电 阻 D. 功率
答案是:A. 电 场

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如果放大器出现非线性失真,则输出频率分量一定比输入频率分量( ) 。 A. 不变 B. 增加 C. 减小 D. 无
答案是:B.增加

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双极型晶体管(BJT)放大偏置时,应在其发射结加_____电压,在集电结加______电压 。 A. 反 , 正 B. 正 ,正 C. 正, 反
答案是:C. 正, 反

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晶体管工作受温度影响是由于温度升高( )增加所致 。 A. β B. α C. 电 流 D. 电压
答案是:A. β

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稳压管是利用二极管( )特性工作的 。 A. 正向 B. 反向击穿 C. 放大 D. 饱和
答案是:B. 反向击穿

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二极管的正向电流是由多数载流子的( )运动形成的 A. 正向 B. 反向 C. 漂移 D. 扩散
答案是:D. 扩散

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对 PN 结二极管,当 P 区外接高电位,而 N 区外接低电位,则 PN结为( )偏。 A. 反 B. 正 C. 低 D. 高
答案是:B.正

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