[论述题,5分] 相对于Si材料，GaAs具有哪些缺点？
答案是：资源稀缺|价格昂贵|污染环境|机械强度|制备困难
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 影响迁移率的主要因素有哪些？
答案是：散射因素|电荷量|平均自由时间|有效质量
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 非晶半导体中载流子的输运机制是怎样的？
答案是：弥散输运|多次陷落机制|跳跃机制
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作？
答案是：寿命很短|发生复合|光的形式|效率高
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 阐述GaAs的应用？
答案是：无线通讯|功率放大器
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 热平衡时载流子浓度由哪些因素决定？
答案是：能量状态密度|电子分布函数
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 半导体中载流子的散射机构有哪几种？
答案是：电离杂质散射|晶格散射|其他散射
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的基本性质。
答案是：带隙较大|带结构|电子迁移率高|温度变化
更新时间:2023/4/3 12:59:00
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[论述题,5分] 阐述深能级杂质的特点。
答案是：不容易电离|多重能级|复合中心作用
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 影响固溶体形成的因素有哪些？
答案是：质点尺寸|晶体结构|电价因素|电负性
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶体结构有哪些？
答案是：金刚石结构|闪锌矿结构|纤锌矿结构
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 元素半导体中的缺陷、原子空位起什么作用？间隙起什么作用？
答案是：受主作用|施主作用
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 为什么器件正常工作大多在饱和电离区？
答案是：温度太低或太高|浓度|温度无关
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 为什么在半导体掺杂中，杂质会产生多个能级？
答案是：电子壳层结构|杂质原子的大小|半导体晶格中的位置
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 影响表面复合的因素有哪些？
答案是：表面粗糙度|表面积与总体积的比例|表面清洁度|化学氛围
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 为什么在半导体中空穴迁移率一般比电子迁移率低？
答案是：单位电场强度下|平均漂移速度|比电子困难
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 氧化硅层在半导体器件中起什么作用？
答案是：掩蔽作用|钝化作用|绝缘隔离层|绝缘栅材料
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 能级杂质在半导体复合中所起的作用。
答案是：施主或受主|复合中心或缺陷
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 阐述影响本征半导体载流子浓度的主要因素。
答案是：能带结构|温度
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[论述题,5分] 在半导体中掺入杂质的作用是什么？
答案是：微量杂质|束缚状态|杂质能级|导电性|导电类型
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,20分] 什么是施主杂质？
答案是：Ⅴ族元素在硅中电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称此类杂质为施主杂质。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,20分] 什么是本征激发？
答案是：电子从价带直接向导带激发，成为导带电子的过程就是本征激发。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,20分] 本征半导体的特征是什么？
答案是：电子浓度等于空穴浓度，载流子少，导电性差，温度稳定性差。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,20分] 元素半导体掺杂工艺有哪些？
答案是：①外延；②离子注入；③热扩散。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,20分] 简述肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷的不同之处。
答案是：弗伦克尔缺陷是空位和间隙质点成对缺陷，晶体体积不发生改变；肖特基缺陷：正离子和负离子空位是成比例出现，伴随体积的增加。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[判断题,4分] 统一的费米能级是热平衡状态的标志。（）
A.正确
B.错误
答案是：参考答案：正确
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[判断题,4分] 陷阱效应是指非平衡载流子落入位于禁带中的杂质或缺陷能级。（）
A.正确
B.错误
答案是：参考答案：正确
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[判断题,4分] 内部原子或分子的排列呈现杂乱无章的分布状态的固体，称为非晶体。（）
A.正确
B.错误
答案是：参考答案：正确
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[判断题,4分] 费米能级难以移动的现象，称为高能度隙态的钉扎效应。（）
A.正确
B.错误
答案是：参考答案：正确
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[判断题,4分] 载流子在内电场作用下的运动称为漂移运动，由此引起的电流称为漂移电流。（）
A.正确
B.错误
答案是：参考答案：错误
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[判断题,4分] PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流。（）
A.正确
B.错误
答案是：参考答案：正确
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[判断题,4分] 热电效应是电流引起的可逆热效应和温差引起的电效应的总称。（）
A.正确
B.错误
答案是：参考答案：正确
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[判断题,4分] 纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。（）
A.正确
B.错误
答案是：参考答案：正确
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
7[判断题,4分] Ⅲ族元素在硅中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称此类杂质为受主杂质。（）
A.正确
B.错误
答案是：参考答案：正确
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
16[判断题,4分] 金属和半导体接触分为有整流特性的肖特基接触和非整流的欧姆接触。（）
A.正确
B.错误
答案是：参考答案：正确
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 点缺陷类型有哪些？
答案是：①空位；②基质原子的填隙；③杂质原子的填隙与替位。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 简述实际半导体中杂质与缺陷来源。
答案是：①原材料纯度不够；②制造过程中引入；③人为控制掺杂。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 半导体的五大基本特性。
答案是：(1)负电阻温度效应：温度升高，电阻减小。 (2)光电导效应：由辐射引起的被照射材料的电导率改变的现象。 (3)整流效应
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 电子和空穴的不同之处是什么？
答案是：有效质量互为相反数；能量符号相反；电子带负电，空穴带正电。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 电子和空穴的有哪些共同之处？
答案是：在真实空间的位置不确定；运动速度一样；数量一致(成对出现)。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 什么是空穴？
答案是：在电子脱离价键的束缚而成为自由电子后，价键中所留下的空位叫空穴。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 什么是p型半导体？
答案是：空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体称为p型半导体。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 什么是n型半导体？
答案是：自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体称为n型半导体。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 什么是本征半导体？
答案是：纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 简述半导体的导电机构。
答案是：导带中的电子和价带中的空穴都参与导电。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 为什么点阵间隔越小，能带越宽？
答案是：点阵间隔越小，电子共有化运动能力越强，能带也就越宽。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 为什么内壳层电子能带窄，外层电子能带宽？
答案是：内层电子处于低能态，外层电子处于高能态，所以外层电子的共有化运动能力强，因此能带宽。（原子的内层电子受到原子核的束缚较大
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 半导体导带中的电子浓度取决于什么？
答案是：导带的即量子态按能量如何分布和即电子在不同能量的量子态上如何分布。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有哪两大类？
答案是：带间电子-空穴直接复合和通过禁带内的复合中心进行复合。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[简答题,4分] 半导体产生光吸收的方式？
答案是：本征、激子、杂质、晶格振动。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[填空题,4分] （）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
答案是：浅能级|深能级
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[填空题,4分] 反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。
答案是：雪崩|隧道
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[填空题,4分] 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。
答案是：电子和空穴|复合中心
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[填空题,4分] 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
答案是：电离杂质的散射|晶格振动的散射
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[填空题,4分] 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。
答案是：直接|间接
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[填空题,4分] 半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于（）结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成（）和纤锌矿等两种晶格结构。
答案是：金刚石|闪锌矿
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[填空题,4分] 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。
答案是：温度|禁带宽度
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[填空题,4分] 通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统，服从（）的电子系统称为简并性系统。
答案是：玻尔兹曼分布|费米分布
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[填空题,4分] 从能带角度来看，锗、硅属于（）半导体，而砷化稼属于（）半导体，后者有利于光子的吸收和发射。
答案是：间接带隙|直接带隙
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学
[判断题,4分] 在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。（）
A.正确
B.错误
答案是：参考答案：错误
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:周口师范学院半导体物理学 目前为： 1/3 页 首页 上页 下页 尾页