问题 更新时间2023/4/3 12:59:00 对采用MOS管栅极电容存储电荷来暂存信息的动态存储器而言,存储器两遍刷新之间所允许的最长时间间隔通常约为A.8msB.5msC.10msD.2ms 答案 登录 注册 参考答案:D 您的答案:D 出自:联大 >> 河南理工大学计算机组成与系统结构