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第1题

杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。 A.变大，变小 B.变小，变大 C.变小，变小 D.变大，变大
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第2题

4砷有效的陷阱中心位置（） A.靠近禁带中央 B.靠近费米能级 C.远离费米能级 D.远离禁带中央
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第3题

塞曼效应是由下列哪个原因引起的（ ） A.加入外磁场影响 B.轨道运动 C.自旋运动 D.原子实的极化
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第4题

23金属和半导体接触分为：（）。 A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
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