问题 更新时间2023/4/3 12:59:00 在自关断器件GTR、GTO、电力MOSFET、IGBT中，可能因静电积累损坏的器件是（）。A.GTR、IGBTB.GTO、电力MOSFETC.GTR、GTO、D.电力MOSFET、IGBT 答案 登录 注册 D. 电力MOSFET、IGBT 出自：文才 >> 西安理工大学电力电子技术
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