三相桥式全控整流电路中需保证同时导通的2个晶闸管均有脉冲，一般常用（）触发。
A.
1脉冲
B.
4脉冲
C.
双窄脉冲
D.
3脉冲
答案是：C.
双窄脉冲
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
在整流电路中，由于变压器漏抗的影响，出现换相重叠角γ，此时输出电压平均值Ud()。
A.
增大
B.
不变
C.
降低
答案是：C.
降低
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和（）
A.
四极性
B.
多极性
C.
三极性
D.
单极性
答案是：D.
单极性
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
当晶闸管承受反向电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）。
A.
关断状态
B.
不定
C.
饱和状态
D.
导通状态
答案是：A.
关断状态
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
不适于电网换流的电路是（）
A.
可控硅整流电路
B.
有源逆变电路
C.
无源逆变电路
D.
交流调压电路
答案是：C.
无源逆变电路
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
单相交交变频电路由输出电压方向决定正组桥工作或反组桥工作，工作在逆变状态，则是根据（）确定。
A.
电流方向
B.
电流、电压不同向
C.
电流、电压同向
D.
电压方向
答案是：C.
电流、电压同向
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
在自关断器件GTR、GTO、电力MOSFET、IGBT中，可能因静电积累损坏的器件是（）。
A.
GTR、IGBT
B.
GTO、电力MOSFET
C.
GTR、GTO、
D.
电力MOSFET、IGBT
答案是：D.
电力MOSFET、IGBT
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
晶闸管并联时，给每只管子串联相同小电抗器是（）措施。
A.
均流
B.
动态均压
C.
静态均压
D.
不定
答案是：A.
均流
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
PWM控制中的载波比表达式为N=fc/fr。
A.
错
B.
对
答案是：B.
对
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是（）
A.
功率MOSFET
B.
IGBT
C.
晶闸管
D.
功率晶体管
答案是：C.
晶闸管
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（）
A.
B.
/2
C.
D.
答案是：A.
U2
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
电力电子器件的驱动一般可分为电流型驱动和（）型驱动。
A.
电子
B.
电动
C.
电力
D.
电压
答案是：D.
电压
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
电流型逆变电路的特点是：直流侧接（），开关器件不反并联二极管，输出电流波形为矩形波。
A.
三极管
B.
二极管
C.
大电感
D.
大电容
答案是：C.
大电感
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在两不同相的上、下二个开关元件之间进行。
答案是：B.
错
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
共阴极三相半波可控整流电路的自然换相点是()
A.
交流相电压的过零点
B.
本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
C.
比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°
D.
比三相不控整流电路的自然换相点超前
答案是：B.
本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
电压型逆变器换流时，同一桥臂上下器件的驱动应留有死区。
答案是：A.
对
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
三相半波全控整流电路，电阻性负载，控制角α的移相范围是()。
A.
1500
B.
1800
C.
900
D.
600
答案是：A.
1500
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
晶闸管的通态平均电流IT(AV)是指：()
A.
最大允许通过工频正弦半波电流的有效值。
B.
最大允许通过工频正弦半波电流的平均值。
C.
最大允许通过任意波形电流的平均值。
答案是：B.
最大允许通过工频正弦半波电流的平均值。
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
有源逆变电路，负载中电动势的极性应与晶闸管的导通方向一致，其值应大于交流电路直流侧的平均电压，另外α角的要求是（）。
A.
α>π/2
B.
α=π/2
C.
α<π/2
D.
α=π
答案是：
A.
α>π/2
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
电力电子器件的损耗主要为：通态损耗、断态损耗和（）损耗。
A.
开关损耗
B.
负载损耗
C.
电机损耗
D.
线路损耗
答案是：A.
开关损耗
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关()
A.
α角、U2以及变压器漏抗XB
B.
α角、负载电流Id以及变压器漏抗X
答案是：B.
α角、负载电流Id以及变压器漏抗X
更新时间:2023/4/3 12:59:00
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下面不能实现有源逆变的电路是()。
A.
半波可控电路
B.
全波可控电路
C.
共阳极三相半波可控电路
D.
带续流二极管的单相桥式可控电路
答案是：D.
带续流二极管的单相桥式可控电路
更新时间:2023/4/3 12:59:00
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逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成()
A.
可关断晶闸管
B.
逆阻型晶闸管
C.
双向晶闸管
D.
大功率三极管
答案是：B.
逆阻型晶闸管
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
电流逆变器中间直流环节贮能元件是（）
A.
电感
B.
电阻
C.
电容
D.
电动机
答案是：A.
电感
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
控制角α与逆变角β之间的关系应该是()。
A.
α〉β
B.
a=β
C.
α〈β
D.
α+β=180°
答案是：D.
α+β=180°
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
晶闸管单相电流逆变器的换流方式为.()
A.
器件换流
B.
强迫换流
C.
电网换流
D.
负载换流
答案是：D.
负载换流
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）
A.
90°~180°
B.
0°~90°
C.
180°~360°
D.
0°~180°
答案是：B.
0°~90°
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用（）型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
A.
双向二极管
B.
普通二极管
C.
功率二极管
D.
快速二极管
答案是：D.
快速二极管
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
IGBT是电力MOSFET和（）的复合器件，因而具有良好的特性。
A.
晶闸管
B.
GTR
C.
GTO
D.
二极管
答案是：B.
GTR
更新时间:2023/4/3 12:59:00
出自:西安理工大学电力电子技术
晶闸管直流电动机系统中，输出电流断续会使电机的机械特性变硬。
A.
对
B.
错
答案是：B.
错
更新时间:2023/4/3 12:59:00
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