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问题   更新时间2023/4/3 12:59:00

21锗的晶格结构和能带结构分别是（）。
A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型

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出自：联大 >> 周口师范学院半导体物理学

王老师:19139051760(拨打)
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第1题

20导带底的电子是()。 A.带正电的有效质量为正的粒子 B.带正电的有效质量为负的准粒子 C.带负电的有效质量为正的粒子 D.带负电的有效质量为负的准粒子
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第2题

19与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。 A.比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C.和绝缘体的相同 D.和绝缘体的不同
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第3题

对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。 A.上移 B.下移 C.不变 D.左移
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第4题

在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度
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