问题 更新时间2023/4/3 12:59:00 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（）A.点阵中的金属原子空位B.点阵中的原子间隙C.一种在禁带中引入施主能级的点缺陷D.一种在禁带中引入受主能级的位错 答案 登录 注册 参考答案：A 您的答案：A 出自：联大 >> 周口师范学院半导体物理学
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