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问题   更新时间2023/4/3 12:59:00

在P型半导体中（）
A.电子是多数载流子，空穴是少数载流子
B.空穴的数量略多于电子
C.空穴是多数载流子，电子是少数载流子
D.没有电子

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出自：联大 >> 周口师范学院半导体物理学

王老师:19139051760(拨打)
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第1题

卢瑟福提出原子核式结构学说的根据是：应用α粒子轰击金箔的实验中，发现α粒子：（ ） A.全部穿过发生很小偏转 B.绝大数发生很大偏转，甚至被弹回，只有少数被穿过 C.绝大多数粒子穿过，只有少数发生很大偏转，甚至极少被弹回 D.全部发
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第2题

10当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（）。 A.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变宽 B.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变宽 C.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变窄 D.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变窄
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第3题

根据玻尔理论，当主量子数n增大时，电子能量将：( ) A.增大 B.减小 C.不变 D.不能确定
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第4题

PN结击穿主要有下列哪三种物理机制（） A.雪崩击穿、隧道击穿、热电击穿 B.高压击穿、跃迁击穿、热电击穿 C.雪崩击穿、隧道击穿、自发击穿 D.隧道击穿、自发击穿、跃迁击穿
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